氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高热导率（130W/（m∙k））、热膨胀系数与Si、SiC、GaN等半导体相匹配等优点，非常适用于高功率模块的封装，被认为是陶瓷基板的优秀选择。
高富氮化硅材料有限公司 :
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我公司采用高纯硅粉直接氮化工艺，通过对所用硅料、氮化工艺和细化工艺的独特专利技术控制，制备出高纯度、高α相含量、粒度分布窄、烧结活性高的基板级氮化硅粉体。
CF-HJ型号高纯氮化硅粉 规格
检测项目
单位
指标范围
检测设备或方法
α相
%
≥90
X射线衍射仪
JC/T 2342-2015
Fe
ppm
≤200
原子吸收法
ISO10058-3:2008
Al
Ca
N
≥38.5
凯氏定氮仪
GB/T 16555-2017
游离Si
＜0.2
气体容量法
C
≤0.1
高频红外定碳仪
O
≤1.4
惰气脉冲红外热导法
D50
μm
＜0.9
激光粒度仪
GB/T19077-2016
