CF-HJ

氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高热导率（130W/（m∙k））、热膨胀系数与Si、SiC、GaN等半导体相匹配等优点，非常适用于高功率模块的封装，被认为是陶瓷基板的优秀选择。

我公司采用高纯硅粉直接氮化工艺，通过对所用硅料、氮化工艺和细化工艺的独特专利技术控制，制备出高纯度、高α相含量、粒度分布窄、烧结活性高的基板级氮化硅粉体。